Оценка моделей полевых транзисторов для широкополосных усилителей класса D
DOI:
https://doi.org/10.5281/zenodo.14514520Ключевые слова:
ключевые усилители мощности, усилители класса D, широтно-импульсная модуляция, широкополосные усилители, гидроакустическая связьАннотация
В настоящие время большинство разработок сложных систем осуществляется на основе расчета и предварительного функционального компьютерного моделирования в специализированных системах автоматизированного проектирования. В статье описываются результаты моделирования на основе SPICE-моделей ключевых усилителей мощности, которые используются для возбуждения гидроакустических антенн широкополосных систем подводной связи. В качестве активных элементов таких усилителей часто используются мощные МОП-транзисторы (MOSFET). В статье проводится сравнительный анализ транзисторов, выполненных по различным технологиям, приводятся результаты моделирования переходных процессов усилителей класса D, реализованных на основе мощных полевых транзисторов на основе кремния (Si), карбида-кремния (SiC), нитрида галлия (GaN). Полученные результаты могут быть использованы при проектировании широкополосных усилителей мощности класса D, в том числе и для систем гидроакустической связи.
Загрузки
Опубликован
Выпуск
Раздел
Лицензия
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution-NonCommercial» («Атрибуция — Некоммерческое использование») 4.0 Всемирная.
Статьи журнала «Вестник Донецкого университета. Серия 04. Технические науки» находятся в открытом доступе и распространяются в соответствии с условиями Лицензионного Договора с Донецким Государственным университетом, который бесплатно предоставляет авторам неограниченное распространение и самостоятельное архивирование.
